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基于MEMS加速度傳感器的原理及分析
來源:賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2014/7/24

  摘要:主要介紹了五種目前常見的基于MEMS技術(shù)的加速度傳感器,從物理結(jié)構(gòu)的角度對這 幾種傳感器的測量原理進(jìn)行了分析,不但著重介紹了已經(jīng)較為成熟且形成產(chǎn)業(yè)化的硅微電容式、壓 阻式、熱電耦式加速度傳感器,而且對目前較為前沿的光波導(dǎo)式加速度傳感器也進(jìn)行了一些分析和介紹。


  關(guān)鍵詞:硅微機(jī)械加工技術(shù);加速度傳感器;封裝隨著硅微機(jī)械加工技術(shù)(MEMS)的迅猛發(fā)展,各 種基于MEMS技術(shù)的器件也應(yīng)運(yùn)而生,目前已經(jīng)得 到廣泛應(yīng)用的就有壓力傳感器、加速度傳感器、光開 關(guān)等等,它們有著體積小、質(zhì)量輕、成本低、功耗低、 可靠性髙等特點(diǎn),而且因?yàn)槠浼庸すに囈欢ǔ潭壬?與傳統(tǒng)的集成電路工藝兼容,易于實(shí)現(xiàn)數(shù)字化、智能 化以及批量生產(chǎn),因而從問世起就引起了廣泛關(guān)注, 并且在汽車、醫(yī)藥、導(dǎo)航和控制、生化分析、工業(yè)檢測 等方面得到了較為迅速的應(yīng)用。以下就筆者所了解 的幾種基于不同原理的硅微加速度傳感器向大家做 一簡單介紹。


  1 硅微電容式加速度傳感器


  硅微電容式加速度傳感器的敏感部分通常為梳齒結(jié)構(gòu),如圖1所示,其掃描電鏡顯微照片如圖2所示。敏感元件由活動部分A、B和固定電極三部分 組成。其中,活動部分由超靜定梁、質(zhì)量塊以及與質(zhì) 量塊相連的活動電極組成。整個(gè)梳齒結(jié)構(gòu)分成A和B兩部分,固定電極分成固定電極ti和固定電極 W固定電極a與上半部分活動電極組成電容Ca, 固定電極b與下半部分活動電極組成電容設(shè) 計(jì)時(shí),將上、下極板不同區(qū)域的電極的引線分開,實(shí)驗(yàn)時(shí),可根據(jù)需要將其短接或分開接。當(dāng)有加速度 A輸人時(shí),慣性力使活動極板產(chǎn)生1個(gè)偏角α使電容器C1的電容量增加,C2的電容量減小,通過線 路轉(zhuǎn)換,把電容器C1、C2的電容量轉(zhuǎn)換成電信號, 經(jīng)相敏放大后把輸出電壓反饋到電容靜電力矩器,電容力矩器產(chǎn)生的靜電力矩與慣性力矩平衡,使式中:
  
  〇—慣性加速度;

  動質(zhì)量塊保持在原有的平衡位置,通過反饋電壓的量塊質(zhì)量;

  正負(fù)和大小來度量輸人加速度的方向和大小。



  硅微電容式加速度計(jì)的工作原理如圖3所示。 在受到加速度作用時(shí),在慣性力-作用下,檢測 質(zhì)量塊在z方向運(yùn)動。這使動極板兩側(cè)的電容Ca、 Cb發(fā)生了變化。兩側(cè)電容的差值(2倍于單側(cè)的變 化量)經(jīng)激勵(lì)正弦波信號調(diào)制,由電容檢測器檢出。


  該信號經(jīng)交流放大器放大、檢波和適當(dāng)?shù)男Qa(bǔ), 反饋到中間極板,由其在電容器極板間產(chǎn)生靜電力, 此靜電力的力矩使檢測質(zhì)量塊保持在零位。它與加 速度作用所引人的力矩大小相等,方向相反。當(dāng)系 統(tǒng)處于平衡時(shí),慣性力與反饋力平衡,就其大小來 說= 若視電容為理想平板電容,上下電容間隙相等,則靜電反饋力為;





  式中:

  a—慣性加速度

  m—質(zhì)量塊質(zhì)量

  d—上、下電容間隙;

  S—電容極板總面積; 

  e一介電常數(shù);

  Fdc一直流偏壓。


  所以k為常數(shù),表明加速度與反饋電壓成正比,這意味著傳感器輸出線性地反映了其感受的加速度大小。



  采用MEMS有關(guān)工藝制成的微加速度計(jì),其敏 感芯片的體積僅5 mm見方,和成人的小指甲蓋大 小差不多,比采用精密機(jī)械加工成的加速度計(jì)小1 ~ 2個(gè)數(shù)量級。由于其質(zhì)量小,因此能承受高沖擊, 實(shí)驗(yàn)測試這種原理的微加速度計(jì)在不加電狀態(tài)下 三個(gè)方向至少可以承受數(shù)百乃至數(shù)千g以上的沖擊。


  2 硅微壓阻式加速度傳感器


  半導(dǎo)體單晶硅材料在受到外力作用,會產(chǎn)生肉 眼察覺不到的極微小應(yīng)變,其原子結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電子 能級狀態(tài)發(fā)生變化,從而導(dǎo)致其電阻率劇烈的變化, 由其材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化,這種物理 效應(yīng)叫壓阻效應(yīng)。它較之傳統(tǒng)的膜合電位計(jì)式、力 平衡式、變電感式、變電容式、金屬應(yīng)變片式及半導(dǎo) 體應(yīng)變片式傳感器技術(shù)上先進(jìn)得多。從20世紀(jì)80 年代中期以后,在美、日、歐傳感器市場上,它已是壓力傳感器中占據(jù)主流的品種,并與壓電式幾乎平分 了加速度傳感器的國際市場。目前,在以大規(guī)模集 成電路技術(shù)和計(jì)算機(jī)軟件技術(shù)介人為特色的智能傳 感器技術(shù)中,由于它能做成單片式多功能復(fù)合敏感 元件來構(gòu)成智能傳感器的基礎(chǔ),因而備受矚目a壓阻式傳感器由一個(gè)振動片和4個(gè)用微機(jī)械技 術(shù)處理形成的褶曲部分組成,4個(gè)支架中的每一個(gè) 都含有2個(gè)移植的電阻,它們互相連接形成一個(gè)惠 斯登電橋,當(dāng)它承受一個(gè)加速度時(shí),這個(gè)片將上下移 動,導(dǎo)致4個(gè)電阻值增加,其它的4個(gè)減少,這樣就 形成了一個(gè)與電源電壓成比例的電壓變化。這8個(gè) 電阻如果互相聯(lián)接,將會使任何偏離軸線的加速度的影響無效。硅的頂部和底部的帽與容納振動片和 支架的部分相連,硅帽有幾個(gè)用途,精密的缺口蝕刻 在帽上提供了空氣緩沖,消除結(jié)構(gòu)的共振峰值。因 為這個(gè)部分被緩沖,到幾kHz的頻率響應(yīng)是呈水平 趨勢,受溫度影響較小。


  結(jié)構(gòu)中的頂帽用來在沒有加速度時(shí)檢測加速度 計(jì),實(shí)現(xiàn)自檢功能。當(dāng)提供給硅頂帽金屬極一個(gè)電 壓時(shí),靜電力驅(qū)使振動片朝頂帽移動。這導(dǎo)致了一 個(gè)與靈敏度和應(yīng)用電壓的平方成比例的輸出電壓變 化,這樣為應(yīng)用一個(gè)外部電壓產(chǎn)生一個(gè)加速度和檢 測機(jī)械和電子結(jié)構(gòu)的性能提供了可能。


  3 硅微熱電耦式加速度傳感器


  硅微熱電耦式的加速度傳感器目前多應(yīng)用于低 成本的傳感器領(lǐng)域,此類加速度傳感器既可以測量 動態(tài)加速度,也可以測量靜態(tài)及速度。基于熱交換 原理,介質(zhì)是氣體。如圖4所示,熱源處于硅片的中 央,硅片懸在空穴中間。在熱源的四周均勻分布有 熱電耦堆(鋁/多晶硅h圖中的加速度傳感器上有 兩路信號,一路是測量X軸加速度的,另一路是測 量3"軸加速度的。在沒有加速度的情況下,熱源的 溫度梯度均勻分布,對四周的熱電耦而言,溫度是一 樣的,輸出的電壓也是一樣的。熱自由交換,任何方 向的加速度將打破溫度分布平衡,使之分布不平衡。 輸出的電壓也將隨之改變。熱電稱輸出的電壓差和 加速度成正比例。



  諧振式傳感器的獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)在于,它的準(zhǔn)數(shù)字量 輸出可直接用于復(fù)雜的數(shù)字電路而免去了其它類型 傳感器在信號傳遞方面的諸多不便。諧振式傳感器 的敏感元件是諧振子,其固有諧振特性決定了該類 型傳感器具有很高的靈敏度和分辨率,但問題也由 此而來。(1)硅諧振子的材料質(zhì)量和制作質(zhì)量一定 要得到保證。(2)要有足夠高精度的數(shù)字信號處理電路來監(jiān)測輸出頻率信號的微弱變化。隨著硅材料 工藝、微機(jī)械加工工藝和集成電路的飛速發(fā)展,這些 問題變得容易解決,這也使得諧振式傳感器成為低 成本、高性能傳感器的突出代表。


  出于對靈敏度的考慮,體硅加工的傳感器結(jié)構(gòu) 往往設(shè)計(jì)為單邊支撐的懸臂梁結(jié)構(gòu)。但這種結(jié)構(gòu)的 缺點(diǎn)很明顯。它有著很大的橫向靈敏度,所以在方 向性要求較高的情況下,需要選擇對稱的梁塊結(jié)構(gòu)。 基于已有的壓阻式體硅微加速度傳感器的研制,在 支撐框架與質(zhì)量塊之間同時(shí)制作支撐梁和諧振梁, 這樣的設(shè)計(jì)既可以借用已有的成熟工藝,又為進(jìn)一 步的傳感器-檢測電路系統(tǒng)集成提供了工藝兼容的 便利條件。利用同樣的思想就可以在其它的梁塊結(jié) 構(gòu)的合適位置上制作出諧振梁。例如,在4角固支 結(jié)構(gòu)的4邊同時(shí)制作了4條諧振梁。而且,這4條 諧振梁也可以同時(shí)用作支撐作用而省去原來的支撐 梁,從而增加了檢測的靈敏度。圖5示意了諧振梁 的制作位置及尺寸。




  硅微光波導(dǎo)加速度傳感器是一種較為新型的加 速度傳感器,其原理結(jié)構(gòu)如圖6所示,其中圖6(a)為加速度傳感器的原理圖,圖6(b)為結(jié)構(gòu)示意圖。射 人波導(dǎo)1的一束光,到達(dá)分束器BS時(shí),分為透射和 反射兩個(gè)部分,其中反射部分進(jìn)人波導(dǎo)4,并到達(dá)光 探測器2。透射部分進(jìn)人波導(dǎo)2,波導(dǎo)2穿過懸臂梁 的頂部,然后經(jīng)過一個(gè)微小的空氣間隙耦合到波導(dǎo) 3,當(dāng)探測器1的作用時(shí)探測進(jìn)人波導(dǎo)3的光強(qiáng)。加 速度為零時(shí),波導(dǎo)2和波導(dǎo)3端面正對,此時(shí)經(jīng)空氣 間隙構(gòu)合進(jìn)人波導(dǎo)3的光最強(qiáng)。因?yàn)榭諝忾g隙距離 僅有幾個(gè)微米,可以認(rèn)為從波導(dǎo)2出射的光完全照 射在波導(dǎo)3的端面上,進(jìn)人波導(dǎo)3的光強(qiáng)度僅同波 導(dǎo)3界面的反射率有關(guān)。當(dāng)加速度不為零,在質(zhì)量 塊慣性力作用下,懸臂梁將發(fā)生彎曲,此時(shí)波導(dǎo)2和 波導(dǎo)3相對截面間將發(fā)生一個(gè)微小位移,位移量的 大小是加速度的函數(shù)?梢越菩,在薄片受折或機(jī)械應(yīng)力作用下,連接處容易發(fā)生 切變,太厚也阻礙導(dǎo)熱,影響連接點(diǎn)的形成。薄片上 的印制導(dǎo)線是由石墨,或者銀和石墨的導(dǎo)電漿料印 制而成的。各向異性導(dǎo)電粘接劑由絲網(wǎng)印刷到薄片 熱壓焊的區(qū)域。


  當(dāng)使用ACF作為互連介質(zhì)連接薄膜電路時(shí),其 使用的柔性薄膜連接帶大多是聚酰亞胺薄片制造 的,因?yàn)锳CF粘接劑是熱固型的,需要較高的熱壓 溫度和較長的固化時(shí)間,彈性比聚酯薄膜更好。聚酰亞胺薄片上的印制導(dǎo)線是由銅箔制成的,銅箔厚度大約在12 25 pi,夾在兩層聚酰亞胺薄片之間。也有使用鍍金銅箔的,其性能更好但費(fèi)用昂貴, 使用鍍鉛錫合金的銅箔的情況也有,因此選擇粘接 劑時(shí)要注意銅箔表面合金的類型。


  我國許多液晶顯示屏生產(chǎn)廠家,為適應(yīng)日益增 長的產(chǎn)品微小型化的要求,引進(jìn)了采用各向異性導(dǎo) 電粘接劑完成電路互連的熱壓焊安裝設(shè)備,大多數(shù) 是半自動設(shè)備,少數(shù)的全自動設(shè)備,基本上都是境外 產(chǎn)品,主要用于生產(chǎn)LCM。


  半自動設(shè)備完成熱壓焊采用了兩臺設(shè)備,一臺 設(shè)備完成ACF的預(yù)壓焊工序,即將ACF與其保護(hù)膜 分離切斷,粘壓到LCD基片上,進(jìn)行預(yù)壓焊,另一臺 具有調(diào)節(jié)定位賽統(tǒng),能將1C芯片準(zhǔn)確的置于LCD表 面規(guī)定的位置,完成熱壓焊過程,使1C和LCD基片 形成良好的電氣和機(jī)械連接。全自動設(shè)備在一臺設(shè) 備上完成上述兩臺設(shè)備的工作,其結(jié)構(gòu)和控制也復(fù) 雜得多,有四個(gè)工位,每個(gè)工位都有精密的工作臺和 上、下料機(jī)構(gòu),分別完成放置LCD基片,預(yù)貼ACF 帶,安裝1C芯片,完成熱壓焊,取走焊好的LCD基片 等工作。操作員的職責(zé)是保證供料和處理異常情 況,工作效率和質(zhì)量較高,但對原料和工件要求嚴(yán)格 規(guī)范,設(shè)備價(jià)格也非常昂貴。


  3 結(jié)束語


  采用各向異性導(dǎo)電粘接劑完成電路互連,也面 臨市場對電子產(chǎn)品微小型化要求更高的壓力,電路 互連需要解決更窄的電極引線間距和更大的連接 度,一般認(rèn)為大的間距在500 μm- 1000μm,精細(xì)間 距在50μm ~ 500μm。大的間距可以采用孔定位,手 工調(diào)整,精細(xì)間距則需要夾具和光學(xué)校準(zhǔn)。對于大 間距產(chǎn)品的電子產(chǎn)品,校準(zhǔn)過程簡單,設(shè)備投資小, 生產(chǎn)過程短,成品率高。對于精細(xì)間距,當(dāng)間距大于 100μm時(shí),互連熱壓焊相對容易一些,一但間距小到50μm-100μm就帶來許多問題,要求設(shè)備有更精 密的調(diào)整、校準(zhǔn)精度,更重要的還涉及到互連部件的 材料,由于材料不同,熱膨脹系數(shù)不同,使得兩互連 部件的電極引線之間產(chǎn)生偏差。因此對較寬的互連 件,應(yīng)充分考慮互連部件的共面性和部件的熱膨脹 系數(shù);ミB寬度一般認(rèn)為在55 mm ~ 150 mm,但實(shí) 際應(yīng)用一般控制在25 mm~50 mm。

 
  采用各向異性導(dǎo)電粘接劑完成電路互連基本上 是一項(xiàng)成熟的工藝技術(shù),它隨著科學(xué)技術(shù)進(jìn)步在不斷發(fā)展。(作者:張海濤,閻貴平)

 

 

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