高壓滅菌器測試也叫高壓鍋測試，是惡劣環(huán)境所用的器件通常都要求進行的一種質(zhì)量測試。 直到最近，汽車安全行業(yè)才開始提出高壓滅菌器測試要求，以檢驗用于氣囊傳感器的MEMS加速計。為了進行此測試，器件在環(huán)境試驗箱不帶電存儲96/168小時，環(huán)境試驗箱的氣壓為15psig、溫度為120℃，相對濕度為100%。高壓滅菌器經(jīng)過一定的暴露時間后，器件在室溫下重新測試。

　　盡管傳感器的傳感結(jié)構(gòu)在密封環(huán)境下封裝，以防止水分入侵，但MEMS加速計仍要承受高壓滅菌壓力，因為塑料包裝材料可在過壓和過濕條件下吸收水分。要測試加速計對高壓滅菌器壓力的易感性，我們將80個MEMS加速計置于高壓滅菌器測試條件下。如圖1所示，加速計由MEMS傳感單元和控制ASIC組成，采用堆疊芯片結(jié)構(gòu)組裝在一個QFN 封裝中。傳感單元由飛思卡爾二聚表面微流構(gòu)成，使用玻璃熔塊通過晶片鍵合技術(shù)密封在密封腔里。

　　高壓滅菌器測試結(jié)果顯示，25℃時，9個部件無法達到偏移規(guī)范，要求9位輸出的偏移變化少于+/- 26個計數(shù)。失效部件的最大偏移變化是-48/+39個計數(shù)。當部件進行168小時測試時，發(fā)現(xiàn)了更多器件失效（與偏移變化的失效行為相同）。還發(fā)現(xiàn)這些部件在-40℃和125℃下具有較小的偏移變化和較緊湊的分布。失效器件還顯示在空氣中暴露一段時間后，出現(xiàn)緩慢回歸規(guī)范的“自愈”行為。在正常大氣條件下進行120℃焙燒，可以加速恢復過程。失效和恢復流程是可重復和可逆的。

　　為了確定高壓滅菌器失效的根源，我們創(chuàng)建了一個失效分析魚骨圖，全面查看高壓滅菌器測試條件下（濕度、壓力和溫度）偏移變化的所有可能原因。從以下四個主要方面審查了設(shè)計和制造工藝：封裝、ASIC、傳感器和測試。因此發(fā)現(xiàn)了微機械傳感獨有的三種失效機理。這三種機理是：導致偏移變化的封裝應力，電阻漏電，寄生電容變化。

　　封裝應力影響

　　環(huán)氧樹脂塑封（EMC）材料能吸收水分，且吸熱會膨脹。掃描聲學顯微鏡（C-SAM）檢測還揭示，復合模具和引線框架之間出現(xiàn)過多分層。這些變化會改變封裝和傳感單元的應力狀態(tài)，從而引起偏移變化。FEA封裝建模（圖2）用于模擬這種應力變化的影響。這個模型考慮了EMC和引線框架之間的非對稱分層。根據(jù)達到平衡時水分攝取大于0.54%這一原理，試驗還假設(shè)吸濕應力為0.15%。

　　FEA模擬結(jié)果顯示，傳感器的慣性質(zhì)量位移相當對稱，但是由于分層和吸濕膨脹，封裝的位移場不對稱。模擬顯示，吸濕膨脹引起的位移與125℃時熱應變引起的位移數(shù)量級相同。 封裝應力引起的最大偏移變化預測只有4個計數(shù)（最壞情況）。

　　用激光蝕刻去除傳感單元周圍的主要EMC部分，進一步分析失效器件。這一做法思路是，封裝的應力場將大幅改變，如果器件對封裝應力敏感，這可能導致偏移變化。但測試結(jié)果顯示，大部分EMC移除之后，器件只有非常小的偏移變化。這一結(jié)果符合原來的FEA預測，EMC的吸濕膨脹只會對偏移變化產(chǎn)生非常小的影響，封裝應力作為高壓滅菌器失效的根源被排除。

　　盡管研究顯示封裝應力不是高壓滅菌器失效的根源，值得一提的是，這歸因于應力不敏感傳感器/封裝設(shè)計。封裝吸濕應力非常大，如果傳感器設(shè)計不正確，可能成為導致高壓滅菌器失效的主要原因。

　　漏電影響

　　環(huán)氧材料的介電性能也可以通過水分攝取來改變。如圖3所示，攝取水分之后，環(huán)氧/玻璃/云母復合材料的體積電阻率減少10倍以上（高達1%）。此外，盡管高壓滅菌器試驗箱中使用了去離子水，高壓滅菌器大氣的水凝結(jié)可以把封裝材料內(nèi)的離子污染聚集在一起，形成不同潛力的傳感器之間的漏電通道。

　　MEMS傳感器的加工步驟也有助于形成潛在的漏電通道。一方面，犧牲性氧化蝕刻步驟中使用的氫氟酸可能留下氟離子。而且，密封材料（玻璃熔塊）中富含氧化鉛，特定條件下可以沉淀成導電鉛結(jié)。圖4中的SEM圖顯示了玻璃熔塊鍵合區(qū)出現(xiàn)的結(jié)節(jié)或團塊非常明顯（但Auger分析不能區(qū)別它們是鉛還是氧化鉛）。

　　應該指出的是，如果“火”線和地線之間存在電阻漏電，則會出現(xiàn)偏移變化。Σ△調(diào)制器前端對保存在差分電容器中的電荷（即傳感單元）進行采樣。理想情況是，當傳感單元帶有Vr ef電荷時，電荷傳送到集成電容器，不會隨著時間推移而改變。但是如果充電電極（或火線）與地線之間存在漏電通道，就不會將所有電荷傳送到集成電容器，電荷可能漏電到地線，導致集成的值較小，當差分電容器具有不同程度的漏電時，會出現(xiàn)凈偏移變化。

　　很難直接測量漏電（ 大于1Gohm）。用曲線跟蹤測量高壓滅菌器測試前后引腳之間的I-V，不顯示引腳之間有明顯的電阻變化。于是采用間接漏電測量方法。這種方法主要測量調(diào)制器的掃頻。調(diào)制器時鐘頻率為8-1MHz不等，在每個時鐘頻率點取偏移值。圖5顯示了掃頻測量的結(jié)果。測量發(fā)現(xiàn)，失效器件（器件1718和器件1079）的偏移隨著調(diào)制器時鐘頻率而不同，但正常器件（器件533和1121）則保持大致相同的偏移。這種現(xiàn)象的原因是固定直流電漏電，較長集成時間（較低時鐘頻率）會導致集成的電荷值較小。

　　掃頻結(jié)果似乎說明偏移失效與漏電有關(guān)，因為要集成的電荷量隨著集成時間而變化。問題是，漏電發(fā)生位置在哪里？為了找出漏電位置，執(zhí)行了FA操作，通過激光蝕刻和化學蝕刻，選擇性地去除某些區(qū)域的EMC材料。將EMC材料從傳感單元鍵合“存放”區(qū)域去除（圖6）發(fā)現(xiàn)，漏電行為（偏移與調(diào)制器時鐘頻率有關(guān)）消失。這證明焊盤存放區(qū)域內(nèi)存在漏電通道。由此斷定，高壓滅菌器大氣的水凝結(jié)聚集了離子，從而促進了漏電。多晶硅轉(zhuǎn)子或傳感單元導電帽之間可能有漏電。

　　為了消除直流電漏電，因此從設(shè)計上建議在多晶硅轉(zhuǎn)子上覆蓋氮化硅鈍化層，作為修復方法。 鈍化層設(shè)計的生產(chǎn)和高壓滅菌測試作為下一步實施。

　　寄生電容

　　盡管前面的FA操作已經(jīng)顯示失效部件和漏電行為之間具有某種聯(lián)系，但不能認為漏電是高壓滅菌失效的唯一（或首要）根源。實際上是不能排除因高壓滅菌壓力而引起寄生電容變化。根據(jù)下列公式，寄生電容（從鍵合線到鍵合線）估計大約為50fF。

　　其中l(wèi)是鍵合線的長度，r 是鍵合線的半徑，d是兩條鍵合線之間的距離，εr是EMC的介電常數(shù)（干燥時和高壓滅菌測試之后）。

　　與體積電阻率一樣，EMC材料的介電常數(shù)也可以通過攝取水分來改變（圖3）。干燥條件和吸水條件下的介電常數(shù)變化可能高達兩個數(shù)量級。在低頻率范圍（小于1Hz），這種影響更明顯。在較高頻率范圍，差別通常小很多。測試MEMS加速計的QEN封裝所用的特定EMC材料與MEMS器件采用相同的高壓滅菌器測試條件。表1顯示了EMC材料的介電常數(shù)在高壓滅菌器壓力前后可能增加2.8%。

　　EMC介電常數(shù)出現(xiàn)2.8%的變化，可能產(chǎn)生1.4fF的電容變化。如此小的電容變化要使用LCR儀表測量出來是不可能的，但它足以在9位輸出上產(chǎn)生15個計數(shù)的偏移變化。高壓滅菌器壓力產(chǎn)生的寄生電容變化很難控制，因為它是EMC材料特征的一部分。但有幾種設(shè)計對策可以緩解此問題。一種方法是提高傳感器靈敏度，從而只需要較低的調(diào)制器增益。我們的觀察也支持這種方法，發(fā)現(xiàn)用不同的MEMS加速計設(shè)計（具有2倍靈敏度）在高壓滅菌器測試中有更好的表現(xiàn)。另一種方法是采用不同前端/架構(gòu)設(shè)計，將屏蔽節(jié)點從中間節(jié)點分離出來，這樣敏感節(jié)點和屏蔽節(jié)點之間的寄生電容不會產(chǎn)生偏移。

　　結(jié)論

　　本文共討論了MEMS加速計的幾種高壓滅菌器失效機理。分別說明了每一種失效機理的FA方法（通過建模和測量）和設(shè)計改進。排除了封裝應力作為高壓滅菌器失效的根源。傳感單元內(nèi)的漏電通過調(diào)制器掃頻測量得到了確認。依據(jù)EMC材料的介電性能測量研究了寄生電容。我們認為漏電和寄生電容變化都存在于高壓滅菌失效器件中。最后還為所確定的每個根源建議了設(shè)計對策。當測試結(jié)果一出來，就會按照報告的測試結(jié)果進行這些改進。(end)

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